6_Ejercicios_Amplif_FET.pdf

Please download to get full document.

View again

of 5
All materials on our website are shared by users. If you have any questions about copyright issues, please report us to resolve them. We are always happy to assist you.
Categories
Published
(/(&75Ï1,&$%È6,&$ 'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN  241$.'/#5 de Amplificadores de pequeña señal Amplificadores de pequeña señal con transistores FET Amplificadores en cascada y con varios transistores (/(&75Ï1,&$%È6,&$
             de Amplificadores de pequeña señal Amplificadores de pequeña señal con transistores FETAmplificadores en cascada y con varios transistores              En el circuito amplificador de la figura, se desea que el valor de la corriente dedrenador I D a 25ºC tome valores dentro del rango 1.5mA  I D   2.5mA,independientemente de las variaciones máximas y mínimas de los parámetros deltransistor JFET canal n utilizado alrededor de sus valores típicos, representadas en lacaracterística de transferencia de la figura F1. Determinar:  Los valores de R G1 , R G2 y R S necesarios, sabiendo que el valor de laimpedancia de entrada debe ser Z IN =100k  .  La ganancia de tensión A V =V O  /V I , considerando el valor típico de losparámetros característicos del transistor JFET, expresada en dB. V CC = 24VR G1 R S R G2 v o  R D = 5k  v i V GS (V)I D (mA) -4 -2.6 -1.21074 m ax m intyp                          En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:  Ganancias de tensión A V1 =V O  /V I y A V2 =V O  /V S , expresadas en dB.  Impedancia de entrada Z IN .  Ganancia de corriente A I =I O  /I I , expresada en dB.  Impedancia de salida Z OUT .Considerar que V DD =15V, R G1 =820k  , R G2 =100k  , R G3 =1M  , R D =2.2k  , R S =1k  ,R I =600   y R L =10k  , siendo los parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeñaseñal, g m =2.6mA/V, r ds =100k  .   V DD = 15VR G1 R S R G2 v o  R D  R G3 v S R i i  i  v  i i  o +- R L                               En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:  Ganancia de tensión referida al generador de señal de entrada A V =V O  /V S ,expresada en dB.  Impedancia de entrada Z IN .Considerar que V DD =15V, R S =600  , R G =100k  , R S1 =1k  , R S2 =1k  y R L =22k  , siendolos parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeña señal, g m =10mA/V, r ds =500k  . V DD = 15VR S2- R G v S R S i  i  v  i +- v o  R S1 R L i  o                En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:  Ganancia de transimpedancia A R1 =V 1  /I I .  Ganancia de tensión A V2 =V 2  /V 1 .  Ganancia de tensión A V3 =V O  /V 2 .  Impedancia de entrada Z IN .  Impedancia de salida Z OUT .Considerar que los parámetros en pequeña señalde los transistores bipolares Q 1  yQ 2 son:  =100, r’ e1 =10  , r’ e2 =8.5  , y que los parámetros característicos del transistorJFET de canal n Q 3 , son: g m =20mA/V y r ds =100k  .   V CC R E2 = 220  v o  i i R C1 = 5.6k  R E1 = 40  R B2 = 1M   R C2 = 3.6k   R G1 = 180k  R G2 = 56k   R S = 1k  R G3 = 100k  R D = 5k  Q 3 Q 2 Q 1 +-v 1 +-v 2 Z in  Z out                                   Se dispone de un circuito amplificador de dos etapas con acoplo directo, como semuestra en la figura, constituyendo un amplificador CASCODO. V CC = 15VR B1 = 5k  R B2 = 25k  v o  R L = 500  Q 2 Q 1 R S = 1k  +- v S R S = 50  R G = 1M  Suponiendo que V BE =0.6V,  >>1, I DSS =10mA y V p =-4V:  Identificar cada una de las etapas formadas por Q 1 y Q 2 .  Calcular los puntos de trabajo de los transistores Q 1 y Q 2 .  Calcular la ganancia de tensión A V =V O  /V S , expresada en dB.  CalcuIar la impedancia de entrada vista desde el generador de señal Z IN .  Calcular la impedancia de salida Z OUT .          I D1 =2.1467mA, V DS1 =9.7533V, I C2 =2.1467mA, V CE2 =2.026V.                    
We Need Your Support
Thank you for visiting our website and your interest in our free products and services. We are nonprofit website to share and download documents. To the running of this website, we need your help to support us.

Thanks to everyone for your continued support.

No, Thanks
SAVE OUR EARTH

We need your sign to support Project to invent "SMART AND CONTROLLABLE REFLECTIVE BALLOONS" to cover the Sun and Save Our Earth.

More details...

Sign Now!

We are very appreciated for your Prompt Action!

x